電磁加熱來(lái)源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁電磁現(xiàn)象，也就是交變的電流會(huì)在導(dǎo)體中產(chǎn)生電磁電流，從而招致導(dǎo)體發(fā)熱。1890年瑞典技術(shù)人員創(chuàng)造了一臺(tái)電磁熔煉爐 ——開(kāi)槽式有芯爐， 1916年美國(guó)人創(chuàng)造了閉槽有芯爐，從此電磁加熱技術(shù)逐步進(jìn)入適用化階段。 20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速開(kāi)展，極大地促進(jìn)了電磁加熱技術(shù)的開(kāi)展。

 

　　1957年，美國(guó)研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開(kāi)端，也引發(fā)了電磁加熱技術(shù)的反動(dòng)。1966年，瑞士和西德首先應(yīng)用晶閘管研制電磁加熱安裝，從此電磁加熱技術(shù)開(kāi)端飛速開(kāi)展。

 

　　20世紀(jì)80年代后，電力電子器件再次快速開(kāi)展，GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器件相繼呈現(xiàn)。電磁加熱安裝也逐步摒棄晶閘管，開(kāi)端采用這些新器件。如今比擬常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于較大功率場(chǎng)所，而MOSFET用于較高頻率場(chǎng)所。據(jù)報(bào)道，國(guó)外能夠采用IGBT將電磁加熱安裝做到功率超越1000kW ，頻率超越50kHz。而MOSFET較適用高頻場(chǎng)所，通常應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場(chǎng)所，頻率可到達(dá)500kHz以上，以至幾兆赫茲。但是國(guó)外也有推出采用 MOSFET的大功率的電磁加熱安裝，比方美國(guó)研制的2000kW /400kHz的安裝。

 

　　我國(guó)電磁熱處置技術(shù)的真正應(yīng)用始于1956年，從前蘇聯(lián)引入，主要應(yīng)用在汽車(chē)工業(yè)。隨著 20世紀(jì)電源設(shè)備的制造，電磁淬火工藝配備也緊隨其后得到開(kāi)展。如今國(guó)內(nèi)電磁淬火工藝配備制造業(yè)也日益擴(kuò)展，產(chǎn)品種類(lèi)多，原來(lái)需求進(jìn)口的配備，逐漸被國(guó)產(chǎn)品所取代，在儉省外匯的同時(shí)，開(kāi)展了國(guó)內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前電磁加熱制造業(yè)的效勞對(duì)象主要是汽車(chē)制造業(yè)，今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對(duì)電磁加熱有較大需求。