近年來(lái)，我國(guó)電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)程度不時(shí)進(jìn)步，應(yīng)用范疇日益普遍，已逐步成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)開(kāi)展中根底性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益遭到地域的注重，地域?qū)ζ湎M(fèi)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐漸加大，但是，全行業(yè)仍面臨諸多艱難，特別是關(guān)鍵技術(shù)受制于人，嚴(yán)重影響行業(yè)持續(xù)開(kāi)展。

得到政策扶持

　　電力電子器件產(chǎn)業(yè)直接關(guān)系到變流技術(shù)的開(kāi)展與進(jìn)步，其技術(shù)程度成為建立節(jié)約型社會(huì)和創(chuàng)新型地域的關(guān)鍵要素。

隨著我國(guó)特高壓直流輸電、高壓變頻、交傳播動(dòng)機(jī)車/動(dòng)車組、城市軌道交通等范疇技術(shù)開(kāi)展和市場(chǎng)需求的增加，對(duì)5英寸及6英寸晶閘管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求十分緊迫，而且需求量也十分大。估計(jì)國(guó)內(nèi)每年需求5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將到達(dá)50萬(wàn)只以上。但是目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)所需的高端電力電子器件主要依賴進(jìn)口。

　　為貫徹落實(shí)“十一五”高技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)開(kāi)展規(guī)劃，全面落實(shí)科學(xué)開(kāi)展觀，推進(jìn)節(jié)能降耗，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的開(kāi)展，依據(jù)地域發(fā)改委《關(guān)于組織施行新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)有關(guān)問(wèn)題的通知》，我國(guó)將施行電力電子器件產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)政策，進(jìn)步新型電力電子器件技術(shù)和工藝程度。

　　其主要內(nèi)容包括：促進(jìn)產(chǎn)業(yè)開(kāi)展，滿足市場(chǎng)需求，以技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)晉級(jí)推進(jìn)節(jié)能降耗；推進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研、用相分離，打破中心根底器件開(kāi)展的關(guān)鍵技術(shù)，完善電力電子產(chǎn)業(yè)鏈，促進(jìn)具有自主學(xué)問(wèn)產(chǎn)權(quán)的芯片和技術(shù)的推行應(yīng)用；培育主干企業(yè)，加強(qiáng)企業(yè)自主創(chuàng)新才能。

　　其主要支持的重點(diǎn)范疇有：在芯片產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）、快恢復(fù)二極管（FRD）、功率集成電路（PIC）、IGCT等產(chǎn)品的芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試和模塊組裝。

　　在模塊產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持電力電子器件系統(tǒng)集成模塊，智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）。

　　在應(yīng)用安裝產(chǎn)業(yè)化方面，重點(diǎn)盤繞電機(jī)節(jié)能、照明節(jié)能、交通、電力、冶金等范疇需求，支持應(yīng)用具有自主學(xué)問(wèn)產(chǎn)權(quán)芯片和技術(shù)的電力電子安裝。

仍須打破創(chuàng)新

　　在產(chǎn)業(yè)政策支持和國(guó)民經(jīng)濟(jì)開(kāi)展的推進(jìn)作用下，我國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)化程度近年來(lái)有很大進(jìn)步。經(jīng)過(guò)技術(shù)上的不時(shí)探究與追求，使其技術(shù)程度逐漸與國(guó)際程度接近，特別是在一些高端市場(chǎng)范疇曾經(jīng)占有一席之地。例如西安電力電子技術(shù)研討所經(jīng)過(guò)引進(jìn)消化技術(shù)，產(chǎn)品曾經(jīng)在高壓直流輸電等高端范疇批量應(yīng)用。

　　值得關(guān)注的是，固然我國(guó)電力電子技術(shù)程度在不時(shí)進(jìn)步，但國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際大公司相比還存在著較大的差距，尚不能滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)開(kāi)展對(duì)電力電子技術(shù)進(jìn)步的請(qǐng)求，也不能滿足建立資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會(huì)的迫切需求。

　　據(jù)此剖析，我國(guó)電力電子行業(yè)追上國(guó)際程度依然任重而道遠(yuǎn)。

　　目前，在新型電力電子器件的開(kāi)發(fā)上，需求探究愈加積極有效的形式。在國(guó)際上，IGBT作為一種主流器件，曾經(jīng)開(kāi)展到了商業(yè)化的第五代，而我國(guó)只要少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未構(gòu)成產(chǎn)業(yè)范圍。我國(guó)在IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT的封裝范疇，技術(shù)更是一片空白。因而，探究愈加積極、有效的形式，促成電力電子器件企業(yè)和微電子器件企業(yè)的技術(shù)交融、揚(yáng)長(zhǎng)避短，完成IGBT的產(chǎn)業(yè)化，才干盡快填補(bǔ)我國(guó)根底工業(yè)中先進(jìn)電力電子器件的空白，改動(dòng)技術(shù)上受制于人的場(chǎng)面。

　　同時(shí)，在高端傳統(tǒng)型器件的國(guó)產(chǎn)化方面，還需求進(jìn)一步加快進(jìn)程。傳統(tǒng)型的電力電子器件主要指晶閘管，其在許多關(guān)鍵范疇仍具有不可替代的作用，特別是隨著變流安裝容量的不時(shí)加大，對(duì)高壓大電流的高端傳統(tǒng)型器件等產(chǎn)品的需求宏大，而我國(guó)僅有少數(shù)幾家優(yōu)勢(shì)企業(yè)經(jīng)過(guò)自主創(chuàng)新控制了高端器件的制造技術(shù)，大局部企業(yè)還停留在中低端器件的制造上。

　　從行業(yè)總體看，在電力電子器件新工藝的研討方面還需加大研發(fā)力度。一代工藝影響一代產(chǎn)品，電力電子工藝技術(shù)精細(xì)復(fù)雜，而國(guó)內(nèi)消費(fèi)企業(yè)在低溫鍵合、離子注入、類金金剛石膜等新型的關(guān)鍵工藝技術(shù)上還缺乏系統(tǒng)的創(chuàng)新才能，必需加速其研發(fā)進(jìn)程。

　　與此同時(shí)，在產(chǎn)業(yè)化才能建立方面還需求上新臺(tái)階。鼎力提升電力電子產(chǎn)業(yè)化才能，將有利于打造現(xiàn)代化和完好的配備制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈，從而使電力電子行業(yè)在建立創(chuàng)新型、節(jié)能環(huán)保型的調(diào)和社會(huì)中發(fā)揮更大的作用。