感應(yīng)加熱電源及技術(shù) 在電源方面晶閘管中頻取代機式發(fā)電機。20世紀(jì)90年代初，國內(nèi)晶閘管電源廠曾如雨后春筍，遍地開花，經(jīng)過優(yōu)勝劣汰的競爭，如今消費廠已趨向穩(wěn)定。目前晶閘管電源又在向IGBT晶體管電源開展，而電子管高頻則將開展為MOSFET晶體管電源，手提晶體管超音頻、高頻電源市場競爭非常劇烈，其將來也將是誰的質(zhì)量高、技術(shù)程度高，誰就能站穩(wěn)腳跟。

 

國產(chǎn)中頻電源目前都采用并聯(lián)諧振型逆變器構(gòu)造。因而，在研討和開發(fā)更大容量的并聯(lián)逆變中頻電源的同時，研制構(gòu)造簡單、易于頻繁起動的串聯(lián)逆變中頻電源是國內(nèi)中頻感應(yīng)加熱安裝范疇有待處理的問題，特別是在熔煉、鑄造應(yīng)用中，串聯(lián)逆變電源易完成全工況下恒功率輸出（有利于降低電能噸耗）及一機多負(fù)載功率分配控制，更值得推行應(yīng)用。 在超音頻（10～100kHz）范圍內(nèi)，由于晶閘管自身開關(guān)特性等參數(shù)的限制，給研制該頻段的電源帶來了很大的技術(shù)難度。固然在80年代浙江大學(xué)采用晶閘管倍頻電路研制了50kW/50kHz超音頻電源，采用時間分割電路研制了30kHz的晶閘管超音頻電源，但由于倍頻電路的雙諧振回路耦合使負(fù)載呈非線性，時變加熱負(fù)載參數(shù)與諧振回路參數(shù)匹配調(diào)試相當(dāng)復(fù)雜，而時間分割電路控制和主回路構(gòu)造復(fù)雜，逆變管應(yīng)用率低，因而沒有得到很好的推行應(yīng)用。

 

70至80年代初，人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)停止分離，相繼開發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件（GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等），為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅實的根底。 在高頻（100kHz以上）頻段，目前國外正處在從傳統(tǒng)的電子管電源向晶體管化全固態(tài)電源的過渡階段。日本某些公司采用SIT，電源程度在80年代末到達(dá)了1000kW、200kHz，400kW、400kHz。 而在歐美，由于SIT存在高通態(tài)損耗（SIT工作于非飽和區(qū)）等缺陷，其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化，MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速開展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造程度達(dá)600kW、400kHz，德國在1989年研制的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源程度達(dá)480kW、50～200kHz，比利時InductoEiphiac公司消費的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源程度可達(dá)1000kW、15～600kHz。浙江大學(xué)在90年代研制出20kW、300kHzMOSFET高頻電源，已被勝利應(yīng)用于小型刀具的外表熱處置和飛機渦輪葉片的熱應(yīng)力考核。

 

目前，感應(yīng)加熱設(shè)備的電源在中頻頻段主要采用晶閘管，超音頻頻段主要采用IGBT，而在高頻頻段，由于SIT存在高導(dǎo)通損耗等缺陷，國際上主要開展MOSFET電源。感應(yīng)加熱電源雖采用諧振逆變器，有利于功率器件完成軟開關(guān)，但是感應(yīng)加熱電源通常功率較大，對功率器件、無源器件、電纜、布線、接地和屏蔽等均有許多特殊請求。因而，完成感應(yīng)加熱電源高頻化仍有許多應(yīng)用根底技術(shù)需求進(jìn)一步討論，特別是新型高頻大功率器件（如MCT、IGBT及SIT功率器件等）的問世，將進(jìn)一步促進(jìn)高頻感應(yīng)加熱電源的開展。