957年，美國(guó)新研制出的作為電力電子器件之中的程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代社會(huì)中的電力電子技術(shù)的開始，同時(shí)也引發(fā)了相關(guān)感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年，瑞士與西德首先利用了晶閘管而研制感應(yīng)加熱的裝置，從此之后感應(yīng)加熱的技術(shù)就開始了飛速發(fā)展。20世紀(jì)7、80年代之后，電力電子器件再次崛起并且快速的發(fā)展，GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器件的相繼出現(xiàn)。感應(yīng)加熱的裝置也隨著逐步摒棄晶閘管，開始迅速采用起這些新型的器件?，F(xiàn)在市場(chǎng)上比較常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于相對(duì)于比較大的功率場(chǎng)合，而MOSFET則是用于較高頻率的場(chǎng)合。

據(jù)報(bào)道，國(guó)外現(xiàn)在已經(jīng)可以采用IGBT淬火機(jī)床將感應(yīng)的加熱裝置可以做到功率超過1000kW，頻率已經(jīng)可以超過50kHz。而MOSFET則是比較適用于高頻的場(chǎng)合，通常的情況是應(yīng)用在幾千瓦的中小功率的場(chǎng)合，頻率甚至可以達(dá)到500kHz以上，甚至是幾兆赫茲。然而國(guó)外有時(shí)候也會(huì)有推出采用 MOSFET的大功率的感應(yīng)的加熱裝置，就例如美國(guó)研制的2000kW /400kHz的新型裝置。

　　我國(guó)的感應(yīng)熱處理的技術(shù)淬火機(jī)床的真正應(yīng)用其實(shí)始于1956年，從前蘇聯(lián)開始引入，主要應(yīng)用在部分的汽車工業(yè)。隨著 20世紀(jì)電源部分的設(shè)備的制造，感應(yīng)淬火的工藝裝備也緊隨其后開始得到了發(fā)展?，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)大部分的感應(yīng)淬火工藝裝備制造業(yè)也日益擴(kuò)大，產(chǎn)品品種多，原來我們都需要進(jìn)口的裝備，現(xiàn)在逐漸被國(guó)產(chǎn)品所取代，在我們?yōu)楣?jié)省了外匯的同時(shí)，我們還發(fā)展了國(guó)內(nèi)的相關(guān)的企業(yè)。目前我國(guó)國(guó)內(nèi)的感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)對(duì)象大部分主要是汽車制造業(yè)，今后現(xiàn)代的冶金工業(yè)將會(huì)對(duì)感應(yīng)加熱有比較大需求的。